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IPD053N08N3GATMA1

Name: Infineon IPD053N08N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD053N08N3GA
Price: 3.17 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPD053N08N3GA

Fabricante N.º:

IPD053N08N3GATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

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Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$3.17	$3.17
	$2.06	$20.60
	$1.43	$143.00
	$1.21	$605.00
	$1.11	$1,110.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.987	$2,467.50
25,000	Presupuesto

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	90 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	52 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	56 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	66 ns
Serie:	OptiMOS 3
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	38 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns
Alias de las piezas n.º:	IPD053N08N3 G SP001127818
Peso de la unidad:	330 mg