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LSIC2SD065D08A

Name: Littelfuse LSIC2SD065D08A
Brand: Littelfuse
SKU: 576-LSIC2SD065D08A
Price: 2.51 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

576-LSIC2SD065D08A

Fabricante N.º:

LSIC2SD065D08A

Fabricante:

Littelfuse

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Littelfuse
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-2 (TO-263-2)
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.8 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	40 A
Ir - Corriente inversa:	100 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	LSIC2SD
Calificación:	AEC-Q101
Marca:	Littelfuse
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes

Littelfuse LSIC2SD GEN2 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide improved efficiency, reliability, and thermal management in various applications. The diodes have an operating junction temperature of +175°C maximum. The positive temperature coefficient of the diodes supports safe operation and ease of paralleling. Other features of the Littelfuse LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes include high-surge capability and negligible reverse recovery current. The switching behavior of the diodes is extremely fast and temperature-independent. Compared to Si bipolar diodes, these diodes provide dramatically reduced switching losses. LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes are ideal for EV charging stations, solar inverters, switch-mode power supplies, and more. These diodes are available in a variety of packages and voltage/current ratings, including 650V (6A to 40A) and 1200V (5A to 40A).

SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.