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APTM10HM19FT3G

Name: Microchip APTM10HM19FT3G
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-APTM10HM19FT3G
Price: 68.51 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

494-APTM10HM19FT3G

Fabricante N.º:

APTM10HM19FT3G

Fabricante:

Microchip Technology

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SP-32
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	70 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	19 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	208 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	125 ns
Altura:	11.5 mm
Longitud:	73.4 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	70 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	POWER MOS V
Tipo:	Full Bridge
Tiempo de retardo de apagado típico:	95 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	35 ns
Ancho:	40.8 mm
Peso de la unidad:	145.260 g