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MSCSM70AM07CT3AG

Name: Microchip MSCSM70AM07CT3AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSCSM70AM07CT3AG
Price: 265.55 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

494-MSCSM70AM07CT3AG

Fabricante N.º:

MSCSM70AM07CT3AG

Fabricante:

Microchip Technology

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	MOSFET / SiC SBD
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Vr - Tensión inversa:	700 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SP3F
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	20 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	353 A
Dp - Disipación de potencia :	988 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.4 mOhms
Tiempo de subida:	35 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.9 V