MMRF1014NT1
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841-MMRF1014NT1
MMRF1014NT1
Fabricante:
Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
Hoja de datos:
En existencias: 784
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $23.11 | $23.11 | |
| $18.42 | $184.20 | |
| $17.25 | $431.25 | |
| $15.97 | $1,597.00 | |
| $15.35 | $3,837.50 | |
| $14.98 | $7,490.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000) | ||
| $14.63 | $14,630.00 | |
| 4,000 | Presupuesto | |
Hoja de datos
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290055
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
