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MRF1K50NR5

Name: NXP MRF1K50NR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRF1K50NR5
Price: 390.2 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

841-MRF1K50NR5

Fabricante N.º:

MRF1K50NR5

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Hoja de datos:

MRF1K50NR5 Hoja de datos (PDF)

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	$390.20	$390.20
	$336.63	$3,366.30
	$323.34	$8,083.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)
	$315.01	$15,750.50
100	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	133 V
Frecuencia de trabajo:	1.8 MHz to 500 MHz
Ganancia:	23 dB
Potencia de salida:	1.5 kW
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	OM-1230-4
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	NXP Semiconductors
Transconductancia hacia delante - Mín.:	33.5 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	2 Channel
Dp - Disipación de potencia :	2.941 kW
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRF1K50N
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V
Alias de las piezas n.º:	935318822578
Peso de la unidad:	5.281 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 1500W RF Power Transistors combine high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These LDMOS devices feature an over-molded plastic package, offering up to 30% lower thermal resistance compared with the ceramic MRF1K50H. NXP's plastic packaging technology helps extract more performance from RF transistors while simplifying amplifier manufacturability thanks to tighter dimensional tolerances and better solder connections.