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QPD1025L

Name: Qorvo QPD1025L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1025L
Price: 1674.94 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPD1025L

Fabricante N.º:

QPD1025L

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V

Hoja de datos:

QPD1025L Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	NI-1230-4
Id - Corriente de drenaje continua:	28 A
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	758 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Dual Gate Dual Drain
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	QPD1025LEVB1
Ganancia:	22.9 dB
Voltaje máximo drenaje-puerta:	225 V
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	1.5 kW
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1025L
Cantidad de empaque de fábrica:	18
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN SiC
Tipo de transistor:	HEMT
Peso de la unidad:	39.665 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8517620090
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8517620000
ECCN:: EAR99

QPD1025 & QPD1025L RF Input-Matched Transistors

Qorvo QPD1025 and QPD1025L RF Input-Matched Transistors are discrete GaN on SiC High Electron Mobility Transistors (HEMT) that have an operating frequency range of 1.0GHz to 1.1GHz. The QPD1025 and QPD1025L transistors feature 22.5dB linear gain, 1800W output power, 65V operating voltage, and support both pulse and CW operations. Qorvo QPD1025 and QPD1025L RF Input-Matched Transistors are available in industry standard air cavity packages and are ideal for IFF transponders, avionics, and test instrumentation.