RF2L16180CF2

STMicroelectronics
511-RF2L16180CF2
RF2L16180CF2

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 120   Múltiples: 120
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$-.--
Precio ext.:
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Cantidad Precio unitario
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 120)
$121.00 $14,520.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
N-Channel
Si
65 V
1 Ohms
1.47 GHz
17.5 dB
180 W
+ 200 C
SMD/SMT
B2-3
Reel
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Sensibles a la humedad: Yes
Número de canales: 1 Channel
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 120
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 6 V to + 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99