STDRIVEG212QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG212QTR
STDRIVEG212QTR

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controladores de puertas
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Marca: STMicroelectronics
Kit de desarrollo: EVLSTDRIVEG212
Tiempo de retardo de apagado máximo: 65 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo: 65 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 900 uA
Voltaje de salida: 220 V
Tipo de producto: Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.: 65 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 4.8 Ohms
Apagado: Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
Nombre comercial: STDRIVE
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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG212 220V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG212 220V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 220V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG212 optimized for driving high-speed GaN.