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RoHS

Fabricante:	Fabricante N.º:	Cant.	Total otorgado:

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STGW35HF60WDI

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Mouser N.º:

511-STGW35HF60WDI

Fabricante N.º:

STGW35HF60WDI

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Fabricante:

STMicroelectronics

Fabricante N.º:

STGWA20H65DFB2

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.9 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	60 A
Dp - Disipación de potencia :	200 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	STGW35HF60WDI
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	4.430 g