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STQ1HNK60R-AP

Name: STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ1HNK60R-AP
Price: 1.03 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STQ1HNK60R-AP

Fabricante N.º:

STQ1HNK60R-AP

Fabricante:

STMicroelectronics

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Envase tipo caja "Ammo Pack" completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$0.239	$478.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-92-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	400 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.25 V
Qg - Carga de puerta:	10 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	30 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Ammo Pack
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	SG
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Tiempo de caída:	25 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Serie:	STQ1HNK60R
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.5 ns
Peso de la unidad:	453.600 mg