TK10A80W,S4X
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757-TK10A80WS4X
TK10A80W,S4X
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
Hoja de datos:
En existencias: 188
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
23 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $4.24 | $4.24 | |
| $2.29 | $22.90 | |
| $2.08 | $208.00 | |
| $1.66 | $830.00 | |
| $1.58 | $1,580.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Applications of Low-Voltage One-Gate Logic ICs to Level Shift Circuits
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Tips for Selecting Level Shifters (Voltage Translation ICs)
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Ecuador
