TK3A65DA(STA4,QM)
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757-TK3A65DASTA4QM
TK3A65DA(STA4,QM)
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
Hoja de datos:
En existencias: 240
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
54 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $2.06 | $2.06 | |
| $0.988 | $9.88 | |
| $0.885 | $88.50 | |
| $0.679 | $339.50 | |
| $0.584 | $584.00 | |
| $0.55 | $2,750.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Product Catalogs
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- TARIC:
- 8542399000
- MXHTS:
- 8542399901
- ECCN:
- EAR99
