TK4P60DB(T6RSS-Q)

Toshiba
757-TK4P60DBT6RSS-Q
TK4P60DB(T6RSS-Q)

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

Modelo ECAD:
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En existencias: 56

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$1.52 $1.52
$0.955 $9.55
$0.633 $63.30
$0.50 $250.00
$0.466 $466.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
$0.395 $790.00
$0.372 $1,488.00
$0.37 $3,700.00
$0.361 $8,664.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
3.7 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
4.4 V
11 nC
+ 150 C
80 W
Enhancement
MOSVII
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Toshiba
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: TK4P60D
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 330 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.