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TK4P60D,RQ

Name: Toshiba TK4P60D,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK4P60DRQ
Price: 1.22 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK4P60DRQ

Fabricante N.º:

TK4P60D,RQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ

Hoja de datos:

TK4P60D,RQ Hoja de datos (PDF)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.22	$1.22
	$0.811	$8.11
	$0.537	$53.70
	$0.453	$226.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$0.374	$748.00
	$0.362	$1,448.00
	$0.36	$3,600.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.7 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Qg - Carga de puerta:	12 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	100 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MOSVII
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Serie:	TK4P60D
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	55 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns
Peso de la unidad:	360 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.