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FCPF067N65S3

Name: onsemi FCPF067N65S3
Brand: onsemi
SKU: 512-FCPF067N65S3
Price: 8.01 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FCPF067N65S3

Fabricante N.º:

FCPF067N65S3

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm

Hoja de datos:

FCPF067N65S3 Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	44 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	67 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	78 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	46 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperFET III
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	16 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	29 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	52 ns
Serie:	FCPF067N65S3
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	89 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	26 ns
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.

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