Quad Semiconductores

Resultados: 186
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel Array 65En existencias
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V 12En existencias
50Se espera el 6/8/2026
Min.: 1
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
11,040Se espera el 21/10/2026
Min.: 1
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Máx.: 1,430
: 3,000


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY 13En existencias
Min.: 1
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V 6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V 39En existencias
Min.: 1
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench
15,174Se espera el 18/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated Diodos de Conmutación de Señal Baja Quad Low Leakage Diode, AEC-Q101
38,960Se espera el 19/5/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

THAT Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2 NPN+2 PNP Matched Trans. Array SO-14
1,661En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High Speed Switching Diode
5,917Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair 45En existencias
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Mult.: 1


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V 5En existencias
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V 4En existencias
Min.: 1
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.30V
450Se espera el 10/9/2026
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad EPAD(R) N-Ch
50Se espera el 6/8/2026
Min.: 1
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
100Se espera el 13/8/2026
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Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP6C Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP6C Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5
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Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP3F Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 19
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Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP1 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 15
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Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP3F Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 15
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Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP3F Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 14
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP4 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 8
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Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP3F Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 7
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Analog Devices Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Matched Monolithic Quad Transistor Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500