|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
- FDC608PZ
- onsemi
-
1:
$0.58
-
148,431En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDC608PZ
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
|
|
148,431En existencias
|
|
|
$0.58
|
|
|
$0.392
|
|
|
$0.279
|
|
|
$0.248
|
|
|
$0.216
|
|
|
$0.196
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET
- FDMS7678
- onsemi
-
1:
$1.32
-
72,307En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS7678
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET
|
|
72,307En existencias
|
|
|
$1.32
|
|
|
$0.82
|
|
|
$0.549
|
|
|
$0.428
|
|
|
$0.372
|
|
|
$0.338
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
- FDS5672
- onsemi
-
1:
$2.70
-
32,630En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
FDS5672
N.º de artículo de Mouser
512-FDS5672
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
|
|
32,630En existencias
|
|
|
$2.70
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.973
|
|
|
$0.902
|
|
|
$0.825
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- FDS86141
- onsemi
-
1:
$2.95
-
21,094En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDS86141
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
|
21,094En existencias
|
|
|
$2.95
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.13
|
|
|
$1.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores 2.5 Amp 1500 Volt
- BY228GP-E3/54
- Vishay Semiconductors
-
1:
$4.31
-
17,956En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
625-BY228GP-E3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 2.5 Amp 1500 Volt
|
|
17,956En existencias
|
|
|
$4.31
|
|
|
$2.02
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,400
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC110N06NS3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.43
-
74,580En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N06NS3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
74,580En existencias
|
|
|
$1.43
|
|
|
$0.896
|
|
|
$0.595
|
|
|
$0.47
|
|
|
$0.388
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.423
|
|
|
$0.388
|
|
|
$0.385
|
|
|
$0.384
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
- IKW40N65ET7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.57
-
7,838En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKW40N65ET7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
|
|
7,838En existencias
|
|
|
$4.57
|
|
|
$2.53
|
|
|
$2.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs TO247 3KV 32A IGBT
- IXBH32N300
- IXYS
-
1:
$95.13
-
201En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXBH32N300
|
IXYS
|
IGBTs TO247 3KV 32A IGBT
|
|
201En existencias
|
|
|
$95.13
|
|
|
$79.14
|
|
|
$73.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
- IXFA10N80P
- IXYS
-
1:
$7.30
-
8,854En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
|
|
8,854En existencias
|
|
|
$7.30
|
|
|
$4.09
|
|
|
$3.08
|
|
|
$2.88
|
|
|
$2.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET 500V 100A
- IXFN100N50P
- IXYS
-
1:
$60.58
-
583En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFN100N50P
|
IXYS
|
Módulos MOSFET 500V 100A
|
|
583En existencias
|
|
|
$60.58
|
|
|
$51.10
|
|
|
$43.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET PolarHV HiPerFETs 900V 56A
- IXFN56N90P
- IXYS
-
1:
$78.07
-
247En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFN56N90P
|
IXYS
|
Módulos MOSFET PolarHV HiPerFETs 900V 56A
|
|
247En existencias
|
|
|
$78.07
|
|
|
$64.50
|
|
|
$58.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
- IXFX64N60P
- IXYS
-
1:
$29.57
-
1,148En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
|
|
1,148En existencias
|
|
|
$29.57
|
|
|
$22.59
|
|
|
$18.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
- IXTA86N20X4
- IXYS
-
1:
$16.29
-
2,003En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA86N20X4
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
|
|
2,003En existencias
|
|
|
$16.29
|
|
|
$12.62
|
|
|
$9.14
|
|
|
$8.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
- IXTH12N100L
- IXYS
-
1:
$29.85
-
984En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH12N100L
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
|
|
984En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
- IXTK210P10T
- IXYS
-
1:
$37.90
-
1,316En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTK210P10T
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
|
|
1,316En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
- IXTN400N15X4
- IXYS
-
1:
$60.43
-
408En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTN400N15X4
|
IXYS
|
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
|
|
408En existencias
|
|
|
$60.43
|
|
|
$44.37
|
|
|
$43.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
- IXXX300N60B3
- IXYS
-
1:
$40.93
-
684En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXXX300N60B3
|
IXYS
|
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
|
|
684En existencias
|
|
|
$40.93
|
|
|
$34.91
|
|
|
$29.21
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
- IXYH85N120A4
- IXYS
-
1:
$24.56
-
1,390En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXYH85N120A4
|
IXYS
|
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
|
|
1,390En existencias
|
|
|
$24.56
|
|
|
$18.35
|
|
|
$14.23
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
- IXYX110N120B4
- IXYS
-
1:
$29.97
-
1,256En existencias
-
150Se espera el 29/6/2026
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXYX110N120B4
|
IXYS
|
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
|
|
1,256En existencias
150Se espera el 29/6/2026
|
|
|
$29.97
|
|
|
$24.00
|
|
|
$18.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
- SCT3022ALGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$45.34
-
389En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022ALGC11
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
|
|
389En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
- 1SS306TE85LF
- Toshiba
-
1:
$1.98
-
21,380En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-1SS306TE85LF
|
Toshiba
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
|
|
21,380En existencias
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.13
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.972
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
- TJ200F04M3L,LXHQ
- Toshiba
-
1:
$4.15
-
45,210En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
|
|
45,210En existencias
|
|
|
$4.15
|
|
|
$2.74
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky PMEG100T150ELPE/SOT1289B/CFP15
- PMEG100T150ELPEZ
- Nexperia
-
1:
$1.53
-
90,600En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMEG100T150ELPEZ
|
Nexperia
|
Rectificadores y diodos Schottky PMEG100T150ELPE/SOT1289B/CFP15
|
|
90,600En existencias
|
|
|
$1.53
|
|
|
$0.964
|
|
|
$0.639
|
|
|
$0.50
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.372
|
|
|
$0.418
|
|
|
$0.417
|
|
|
$0.372
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
- SI2369BDS-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$0.74
-
327,557En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI2369BDS-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
|
|
327,557En existencias
|
|
|
$0.74
|
|
|
$0.458
|
|
|
$0.294
|
|
|
$0.224
|
|
|
$0.171
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.201
|
|
|
$0.156
|
|
|
$0.139
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A
- SI3129DV-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.44
-
157,397En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI3129DV-T1-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A
|
|
157,397En existencias
|
|
|
$1.44
|
|
|
$0.909
|
|
|
$0.602
|
|
|
$0.47
|
|
|
$0.373
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.407
|
|
|
$0.354
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|