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DMC25D0UVT-7

Name: Diodes Incorporated DMC25D0UVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMC25D0UVT-7
Price: 0.68 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMC25D0UVT-7

Fabricante N.º:

DMC25D0UVT-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET

Hoja de datos:

DMC25D0UVT-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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$-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.68	$0.68
	$0.424	$4.24
	$0.272	$27.20
	$0.207	$103.50
	$0.186	$186.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.141	$423.00
	$0.138	$828.00
	$0.121	$1,089.00
	$0.118	$2,832.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOT-26-6
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V, 30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	400 mA, 2.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4 Ohms, 300 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	650 mV, 500 mV
Qg - Carga de puerta:	700 pC, 21 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	3.7 ns, 14.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.3 ns, 3.3 ns
Serie:	DMC25
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	7.7 ns, 61.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3 ns, 3.5 ns
Peso de la unidad:	8 mg

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Hoja de datos

DMC25D0UVT-7 Hoja de datos (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs

Diode Inc. DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (R_DS(ON)). They maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMN31D5UFZ and DMN2990UFZ are N-Channel enhancement mode MOSFETs and the DMP32D9UFZ is a P-Channel Enhancement Mode MOSFET.