Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IGC037S12S1XTMA1

Name: Infineon IGC037S12S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC037S12S1XTMA1
Price: 4.38 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-IGC037S12S1XTMA1

Fabricante N.º:

IGC037S12S1XTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

IGC037S12S1XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies IGC037S12S1XTMA1

En existencias: 8,919

Existencias:: 8,919 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$4.38	$4.38
	$2.94	$29.40
	$2.18	$218.00
	$1.94	$970.00
	$1.77	$1,770.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$1.49	$7,450.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	120 V
Id - Corriente de drenaje continua:	71 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	6.5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.9 V
Qg - Carga de puerta:	13 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	45 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolGaN
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Transistors
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	60 V - 120 V G3
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	P-Channel
Tipo:	CoolGaN
Alias de las piezas n.º:	IGC037S12S1 SP006027453

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IGC037S12S1XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.