IXSH40N65L2KHV

IXYS
747-IXSH40N65L2KHV
IXSH40N65L2KHV

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Modelo ECAD:
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En existencias: 550

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$7.51 $7.51
$5.30 $53.00
$4.42 $442.00
$3.93 $1,768.50
$3.50 $3,150.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
43 A
78 mOhms
- 5 V, 20 V
4.5 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
174 W
Enhancement
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 9 ns
Empaquetado: Tube
Producto: SiC MOSFETS
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 12.7 ns
Serie: IXSxNxL2Kx
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 22.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5.3 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).