Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

MRFE6VP6300HR5

Name: NXP MRFE6VP6300HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP6300HR5
Price: 542.4 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

841-MRFE6VP6300HR5

Fabricante N.º:

MRFE6VP6300HR5

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4

Hoja de datos:

MRFE6VP6300HR5 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre NXP Semiconductors MRFE6VP6300HR5

En existencias: 527

Existencias:: 527 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$542.40	$542.40
	$472.83	$4,728.30
	$466.83	$11,670.75
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)
	$444.99	$22,249.50
100	Presupuesto

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	130 V
Frecuencia de trabajo:	1.8 MHz to 600 MHz
Ganancia:	26.5 dB
Potencia de salida:	300 W
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	NI-780-4
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	NXP Semiconductors
Número de canales:	2 Channel
Dp - Disipación de potencia :	1.05 kW
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRFE6VP6300H
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V
Alias de las piezas n.º:	935317343178
Peso de la unidad:	6.396 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MRFE6VP6300HR5 Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 V_SWR, a 50V_DC, 230MHz at all phase angles.