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QH8ME5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8ME5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8ME5TCR
Price: 1.2 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-QH8ME5TCR

Fabricante N.º:

QH8ME5TCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

Hoja de datos:

QH8ME5TCR Hoja de datos

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	$0.35	$350.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.303	$909.00
	$0.281	$1,686.00
	$0.258	$2,322.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSMT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	202 mOhms, 270 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	2.8 nC, 19.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	5 ns, 48 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.3 S, 3.2 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns, 7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns, 105 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns, 7.3 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs

ROHM Semiconductor QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs support 40V, 60V, or 100V withstand voltages. This series is designed for 24V input equipment such as factory automation equipment, and motors mounted on base stations (cooling fans). The QH8K devices consist of a low on-resistance Nch MOSFET, which is reduced by 58% compared to conventional ROHM products. This results in low power consumption of components. These MOSFETs come in a small, surface-mount TSMT8 package with eight terminals and Pb-free plating. ROHM Semiconductor QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs are ideal for switching and motor drive applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.