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S34ML02G300TFI000

Name: SkyHigh Memory S34ML02G300TFI000
Brand: SkyHigh Memory
SKU: 727-S34ML02G3TFI000
Price: 5.65 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

727-S34ML02G3TFI000

Fabricante N.º:

S34ML02G300TFI000

Fabricante:

SkyHigh Memory

Descripción:

Memoria flash tipo NAND 0BIT ECC, X8 I/O AND 3V VCC SLC NAND FLASH MEMORY 2KB PAGE SIZE TSOP (2Gb die)

Hoja de datos:

S34ML02G300TFI000 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$4.88	$468.48
	$4.72	$1,359.36
	$4.60	$2,649.60
	$4.49	$4,741.44
	$4.38	$11,352.96

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SkyHigh Memory
Categoría de producto:	Memoria flash tipo NAND
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOP-I-48
Tamaño de memoria:	2 Gbit
Tipo de interfaz:	Parallel
Organización:	256 M x 8
Tipo de tiempo:	Asynchronous
Ancho de bus de datos:	8 bit
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro - Máx.:	35 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tray
Corriente de lectura activa - máx.:	35 mA
Marca:	SkyHigh Memory
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	NAND Flash
Cantidad de empaque de fábrica:	96
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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S34ML02G300TFI000 Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory

SkyHigh Memory S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory is the first family of Single-Level Cell (SLC) NAND products using 4x nm floating-gate technology, targeted specifically for data storage in automotive, consumer, and networking applications. The SLC NAND is offered in densities from 1Gb to 8Gb, in 3.0V and 1.8V families that feature high performance, extended temperature range, long-term product support, and stringent reliability demands, such as 1-bit, 4-bit Error Correction Code (ECC). The NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid-state mass storage market. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased.