VS-SF100SA120

Name: Vishay VS-SF100SA120
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-SF100SA120
Price: 62.29 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-VS-SF100SA120

Fabricante N.º:

VS-SF100SA120

Fabricante:

Vishay Semiconductors

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	98 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	32.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 19 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.7 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	468 W
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	10.56 ns
Altura:	12.3 mm
Longitud:	38.3 mm
Producto:	Power Module
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	44.32 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	160
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Single Switch Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18.88 ns
Ancho:	25.7 mm