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Cantidad RoHS
Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 3A, 150V, Trench Schottky
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Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 5A, 150V, Trench Schottky
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5,325En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
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5,000En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Zener SOD-323F, 550mW, +-2%, 5.1V, Zener Diode
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7En existencias
6,000En pedido
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Taiwan Semiconductor Rectificadores 60ns, 10A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier, Automotive Qualified
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4,500En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores 60ns, 12A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier, Automotive Qualified
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4,500En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores 35ns, 15A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier, Automotive Qualified
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6,500En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores 25ns, 10A, 600V, Ultra Fast Recovery Rectifier
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5,940En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores 25ns, 12A, 600V, Ultra Fast Recovery Rectifier
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5,988En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores 25ns, 6A, 600V, Ultra Fast Recovery Rectifier
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5,995En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores 25ns, 8A, 600V, Ultra Fast Recovery Rectifier
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5,980En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 4.8V
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2,445En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 7.5V
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2,438En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 47A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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9,975En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 38A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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9,996En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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5,000En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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5,000En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 26A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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9,865En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 25V
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2,500En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 22A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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9,972En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode
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984En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 650V, SiC Schottky Diode
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998En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode
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1,000En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode
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980En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode
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1,000En existencias
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