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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode
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290En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 30A, 650V, SiC Schottky Diode
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300En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 40A, 650V, SiC Schottky Diode
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273En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode
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997En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 650V, SiC Schottky Diode
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860En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode
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977En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode
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1,000En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode
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997En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode
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985En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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300En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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300En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 42A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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290En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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1,981En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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1,988En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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1,984En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 9.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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1,985En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 10A, 100V, Trench Schottky
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5,117En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 10A, 100V, Trench Schottky
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5,900En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 10A, 120V, Trench Schottky
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5,990En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 12A, 120V, Trench Schottky
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5,910En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 12A, 100V, Trench Schottky
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5,980En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 12A, 120V, Trench Schottky
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5,380En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 15A, 100V, Trench Schottky
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5,378En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 15A, 100V, Trench Schottky
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5,890En existencias
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