Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

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Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W

TPC8132,LQ(S
Toshiba
1: $1.36
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TPC8132,LQ(S

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757-TPC8132LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W

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$1.36

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$0.566

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SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

7 A

33 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ

TPCP8107,LF
Toshiba
1: $1.27
13,983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPCP8107,LF

N.º de artículo de Mouser
757-TPCP8107LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ

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$1.27

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$0.52

$0.408

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SMD/SMT

PS-8

P-Channel

1 Channel

40 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

44.6 nC

- 55 C

+ 175 C

2.01 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

TPH1R712MD,L1Q
Toshiba
1: $2.43
3,488En existencias
20,000Se espera el 16/10/2026

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TPH1R712MD,L1Q

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757-TPH1R712MDL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

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$2.43

$1.56

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$0.724

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SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.7 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

182 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

SSM3J132TU,LF
Toshiba
1: $1.06
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SSM3J132TU,LF

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757-SSM3J132TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

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$0.245

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SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

12 V

5.4 A

14 mOhms

- 6 V, 6 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

SSM3J133TU,LF
Toshiba
1: $1.08
4,165En existencias
12,000Se espera el 13/7/2026

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SSM3J133TU,LF

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757-SSM3J133TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

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$1.08

$0.746

$0.472

$0.292

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$0.186

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SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.5 A

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- 8 V, 8 V

1 V

12.8 nC

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+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

SSM3J140TU,LF
Toshiba
1: $0.83
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SSM3J140TU,LF

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757-SSM3J140TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

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SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

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1 V

24.8 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

SSM3J143TU,LF
Toshiba
1: $0.66
4,091En existencias

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SSM3J143TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J143TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

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SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.5 A

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- 8 V, 6 V

1 V

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+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF

SSM3J331R,LF
Toshiba
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SSM3J331R,LF

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757-SSM3J331RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF

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$0.091

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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

150 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V

SSM3J352F,LF
Toshiba
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SSM3J352F,LF

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757-SSM3J352FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V

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$0.173

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$0.096

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: 3,000

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S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

90 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

600 mW

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V

SSM3J353F,LF
Toshiba
1: $0.45
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SSM3J353F,LF

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757-SSM3J353FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V

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$0.45

$0.273

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$0.115

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-346-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET

SSM3J356R,LXHF
Toshiba
1: $0.65
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3J356R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET

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SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2 A

360 mOhms

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2 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

SSM3J372R,LXHF
Toshiba
1: $0.62
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3J372R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J372RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

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$0.62

$0.383

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$0.14

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SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

42 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A

SSM3J374R,LF
Toshiba
1: $0.55
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SSM3J374R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J374RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A

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$0.55

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$0.241

$0.151

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$0.116

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SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

4 A

71 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

5.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A

SSM3J375F,LF
Toshiba
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6,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J375F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J375FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A

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$0.39

$0.239

$0.151

$0.112

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$0.083

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: 3,000

SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

150 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET

SSM3J375F,LXHF
Toshiba
1: $0.51
4,224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J375F,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J375FLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET

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4,224En existencias

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$0.51

$0.286

$0.20

$0.15

Envase tipo carrete

$0.11

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: 3,000

SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

150 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

SSM3J377R,LF
Toshiba
1: $0.52
1,177En existencias
9,000Se espera el 20/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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1,177En existencias

9,000Se espera el 20/7/2026

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$0.52

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$0.225

$0.142

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$0.106

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
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2,469En existencias
3,000Se espera el 14/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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3,000Se espera el 14/12/2026

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$0.178

$0.133

Envase tipo carrete

$0.099

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package

SSM3J66MFV,L3F
Toshiba
1: $0.38
19,071En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J66MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J66MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package

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: 8,000

SMD/SMT

VESM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

4 Ohms

- 8 V, 6 V

1 V

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

SSM3K335R,LF
Toshiba
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3K335R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K335RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

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$0.326

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Envase tipo carrete

$0.117

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V

SSM6J214FE(TE85L,F
Toshiba
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N.º de artículo del Fabricante
SSM6J214FE(TE85L,F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J214FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V

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SOT-563-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

50 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

7.9 nC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF

SSM6J215FE(TE85L,F
Toshiba
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SSM6J215FE(TE85L,F

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF

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ES6-6

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1 Channel

20 V

3.4 A

154 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

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U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

SSM6J216FE,LF
Toshiba
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SSM6J216FE,LF

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757-SSM6J216FELF

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4.8 A

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- 8 V, 8 V

1 V

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SSM6J414TU,LF
Toshiba
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SSM6J414TU,LF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF

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6 A

54 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

23.1 nC

- 55 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

SSM6J503NU,LF
Toshiba
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SSM6J503NU,LF

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UDFN-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

89.6 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

SSM6J507NU,LF
Toshiba
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SSM6J507NU,LF

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757-SSM6J507NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

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UDFN-6

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1 Channel

30 V

10 A

20 mOhms

- 25 V, 20 V

1 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
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TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W