QPD2060D

Qorvo
772-QPD2060D
QPD2060D

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60 mm Pwr pHEMT

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

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No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 100   Múltiples: 100
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
pHEMT
Reel
Marca: Qorvo
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Tipo de producto: RF JFET Transistors
Serie: QPD2060D
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

pHEMT GaAs discreto de 600 µm QPD2060D

El pHEMT (transistor pseudomórfico de alta movilidad de electrones) GaAs discreto de 600 µm QPD2060D de Qorvo cuenta con una frecuencia operativa de CC a 20 GHz.El QPD2060D normalmente proporciona 28 dBm de potencia de salida a P1dB con una ganancia de 12 dB y un 55 % de eficiencia de potencia agregada a una compresión de 1 dB. Este rendimiento hace que el QPD2060D sea apropiado para aplicaciones de alta eficiencia.