Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ R_DS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

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Resultados: 22

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

NVMFS5C612NWFT1G
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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
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NVMFS5C628NT1G

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

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- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC1D6N06CL
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SMD/SMT

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224 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
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DFN-5060-8

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- 20 V, 20 V

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFT1G
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287 A

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1.2 V

120 nC

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+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

NVMFS5C628NWFT1G
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1 Channel

60 V

150 A

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AEC-Q101

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NVMFS5C604NWFT1G
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288 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel DFN5(Pb-Free, Wettable Flanks)

NVMFWS024N06CT1G
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SMD/SMT

DFN-5

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1 Channel

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5.7 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 288A, 1.2mohm

NVMFS5C604NT1G
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NVMFS5C604NT1G

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

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200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 225A, 1.65mohm

NVMFS5C612NT1G
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NVMFS5C612NT1G

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
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$3.22

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$2.74

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SO-8FL-4

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1 Channel

60 V

287 A

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2 V

120 nC

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200 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLAFT1G
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NRND

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NVMFS5C612NLAFT1G

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863-NVMFS5C612NLFT1G

NRND

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$3.50

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$2.07

$2.00

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$1.84

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
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1,158En existencias
3,000Se espera el 20/3/2026

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NVMFS5C604NLWFAFT1G

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1,158En existencias

3,000Se espera el 20/3/2026

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$6.26

$4.31

$3.06

$2.99

$2.92

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$2.55

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04CL
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1: $5.82
3,648En existencias

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NVMFSC0D9N04CL

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863-NVMFSC0D9N04CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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3,648En existencias

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$5.82

$4.01

$3.02

$3.01

$2.97

Envase tipo carrete

$2.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

316 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLT1G
onsemi
1: $7.94
427En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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427En existencias

Cinta cortada

$7.94

$5.44

$4.20

$3.68

Envase tipo carrete

$3.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

NVMFS024N06CT1G
onsemi
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593En existencias

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NVMFS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

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593En existencias

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$1.76

$1.16

$0.775

$0.616

$0.61

Envase tipo carrete

$0.536

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLWFAFT1G
onsemi
1: $5.11
640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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640En existencias

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$5.11

$3.43

$2.48

$2.38

$2.31

Envase tipo carrete

$1.93

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NLT1G
onsemi
1: $5.02
238En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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Hoja de datos

238En existencias

Cinta cortada

$5.02

$4.95

$3.78

$2.89

$2.65

Envase tipo carrete

$1.82

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

235 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 40V, 185A, 2.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

NVMFS5830NLWFT1G-UM
onsemi
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1,500Se espera el 10/4/2026
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5830NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FS5830NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 40V, 185A, 2.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

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1,500Se espera el 10/4/2026

Cinta cortada

$2.97

$1.92

$1.42

$1.19

$1.02

Envase tipo carrete

$1.02

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

2.3 mOhms

20 V

2.4 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 235A, 1.5mohm 1500 / Tape & Reel

NVMFS5C612NLET1G
onsemi
1: $5.00
1,500Se espera el 27/3/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 235A, 1.5mohm 1500 / Tape & Reel

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Hoja de datos

1,500Se espera el 27/3/2026

Cinta cortada

$5.00

$3.32

$2.37

$2.24

$1.83

Envase tipo carrete

$1.82

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.36 mOhms

20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

NVMFS5832NLWFT1G-UM
onsemi
1: $1.96
1,500Se espera el 10/4/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5832NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FS5832NLWFT1G-UM

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

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$1.25

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$0.732

$0.612

Envase tipo carrete

$0.612

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4.2 mOhms

20 V

2.4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT3G
onsemi
5,000: $2.48
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT3G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

Envase tipo carrete

$2.48

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A, 287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

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