SI4056ADY-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SI4056ADY-T1-GE3
SI4056ADY-T1-GE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

Modelo ECAD:
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$0.372 $372.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
100 V
8.3 A
29.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
19.2 nC
- 55 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay / Siliconix
Tiempo de caída: 4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 49 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 6 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: TrenchFET Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 19 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9 ns
Peso de la unidad: 750 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Si4056ADY N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix Si4056ADY N-Channel MOSFET comes in a SO-8 package with a 100V drain-source voltage rating and 40A pulsed drain current. The MOSFET features a low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) tuned for the lowest RDS x Qoss FOM. Vishay Si4056ADY N-Channel MOSFET is ideally suited for primary-side switches, LED drivers, load switches, and synchronous rectification applications.

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.