Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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50V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low drain-source on-state resistance [R_DS(ON)]. Each device is ESD-protected up to a 2KV human-body model. For design flexibility, these devices are available in six packages (SOT-363, SOT-563, SC-89, SOT-523, SOT-23, and SOT-323). All PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and have a Green molding compound as per the IEC 61249 standard.

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Resultados: 29

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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Envase tipo carrete

$0.04

Ver

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2 Channel

50 V

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1.6 Ohms

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Reel

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500 mW

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Reel

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

360 mA

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

236 mW

Enhancement

AEC-Q101

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1 Channel

50 V

360 mA

4.5 Ohms

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SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

400 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

950 pC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

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: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

50 V

350 mA

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

223 mW

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PJX138K_R1_00002
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SOT-563-6

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2 Channel

50 V

350 mA

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

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