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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
- TB9057FG
- Toshiba
-
1:
$10.18
-
1,735En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TB9057FG
|
Toshiba
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
|
|
1,735En existencias
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|
$10.18
|
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$7.95
|
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$7.39
|
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$6.77
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Ver
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$6.48
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|
$6.30
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$6.16
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Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
- TJ60S06M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
-
1:
$2.95
-
2,513En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3LT6L1NQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
|
|
2,513En existencias
|
|
|
$2.95
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.05
|
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|
$1.03
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK65S04N1L,LQ
- Toshiba
-
1:
$2.73
-
2,070En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1LLQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
|
|
2,070En existencias
|
|
|
$2.73
|
|
|
$1.77
|
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|
$1.22
|
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|
$0.986
|
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|
$0.944
|
|
|
$0.92
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK90S06N1L,LQ
- Toshiba
-
1:
$2.95
-
2,193En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TK90S06N1LLQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
|
|
2,193En existencias
|
|
|
$2.95
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.07
|
|
|
$1.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
- SSM3K337R,LF
- Toshiba
-
1:
$0.70
-
4,066En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K337RLF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
|
|
4,066En existencias
|
|
|
$0.70
|
|
|
$0.435
|
|
|
$0.283
|
|
|
$0.216
|
|
|
$0.172
|
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|
Ver
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|
$0.19
|
|
|
$0.152
|
|
|
$0.143
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
- TJ60S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
-
1:
$1.94
-
1,226En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
|
|
1,226En existencias
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.837
|
|
|
$0.664
|
|
|
$0.609
|
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|
$0.579
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
- SSM3H137TU,LF
- Toshiba
-
1:
$0.70
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
|
|
No en existencias
|
|
|
$0.70
|
|
|
$0.432
|
|
|
$0.278
|
|
|
$0.211
|
|
|
$0.157
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.19
|
|
|
$0.143
|
|
|
$0.139
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
- TJ80S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
-
2,000:
$0.519
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
:
2,000
|
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