Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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ISZ023N06LM6ATMA1
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Enhancement

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Enhancement

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$0.943

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22 nC

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+ 175 C

100 W

Enhancement

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ISZ025N06NM6ATMA1
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Enhancement

OptiMOS

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62 A

6 mOhms

20 V

3.3 V

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+ 175 C

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ISC007N06NM6ATMA1
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5,000Se espera el 22/10/2026

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ISC007N06NM6ATMA1

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726-ISC007N06NM6ATMA

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: 5,000

SMD/SMT

PG-TSON-8

N-Channel

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60 V

178 mA

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

125 mW

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQE018N06NM6CGATMA1
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1: $3.52
5,000Se espera el 30/7/2026
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IQE018N06NM6CGATMA1

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726-IQE018N06NM6CGAT

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$3.52

$2.29

$1.62

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$1.21

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

178 mA

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

125 mW

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQE018N06NM6CGSCATMA1
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1: $3.74
6,000Se espera el 26/5/2026
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IQE018N06NM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE018N06NM6CGSC

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6,000Se espera el 26/5/2026

Cinta cortada

$3.74

$2.44

$1.75

$1.42

$1.37

Envase tipo carrete

$1.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

PG-WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

178 mA

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

125 mW

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC009N06NM6SCATMA1
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4,000Se espera el 11/2/2027
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ISC009N06NM6SCATMA1

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726-ISC009N06NM6SCAT

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Envase tipo carrete

$2.73

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: 4,000

SMD/SMT

PG-WSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

344 A

900 uOhms

20 V

3.3 V

121 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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