LFPAK33 Automotive MOSFETs

Nexperia LFPAK33 Automotive MOSFETs reduce module size while increasing functionality with up to 80% space saving compared to DPAK alternatives. LFPAK33 MOSFETs feature low-resistance, a small footprint, and robust copper clip technology. The LFPAK33 MOSFETs are the ultimate in automotive MOSFET performance. Typical applications include power train, body control, chassis, and safety.

Resultados: 44
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 100V 29A N-CH
13,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 34 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 24.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 100V 25A
7,500Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 25 A 43 mOhms - 10 V, 10 V 8.2 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 12.8A
15,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12.8 A 68 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 4.4 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 53A
2,995En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 24.8 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 33A
1,500Se espera el 15/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 24A
1,500Se espera el 26/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 24 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 10.9 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 47A
3,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 47 A 13 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 17 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 38A
2,915Se espera el 15/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 17 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 13.8 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 30A
1,500Se espera el 9/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 20 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 7.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 32A
2,972Se espera el 7/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 32 A 21 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 80V 26A
4,500Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 80 V 26 A 31 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 13.5 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 17.6A
3,000Se espera el 29/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 17.6 A 32.4 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 4.5 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 17A
4,500Se espera el 7/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 43 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 6 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 70A
1,500Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 70 A 5.3 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 18 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 64A
3,000Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64 A 7.3 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 16.2 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K49-80L/SOT1205/LFPAK56D Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500
SMD/SMT N-Channel 80 V 17 A 39 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 6.2 nC, 12 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M13-80L/SOT1210/mLFPAK Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
SMD/SMT N-Channel 80 V 55 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 3.8 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 37A
1,495Se espera el 11/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 37 A 14 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 8 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M48-80L/SOT1210/mLFPAK Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
SMD/SMT N-Channel 80 V 15 A 38.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 1.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel