Off-Board Charger Sub-Unit Power Converters

Littelfuse Off-Board Charger Sub-Unit Power Converters are required for DC charging stations capable of charging to 80% SOC in under 30 minutes. These fast-charging applications require modular power converters, which can be paralleled to cater to different power levels, thereby enabling fast charging. The most critical parameters are energy density and system efficiency. A sub-unit power converter in a DC charging station consists of an AC/DC power stage and DC/DC power stage integrated into the charging station.

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Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-268AA
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-268AA
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/60A TO-268HV
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-252D
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-247AD
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-247AD
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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-247AD
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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP
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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP
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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
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