MOSFETs for Braking Systems

MOSFETs are also for power switching circuits. Unlike bipolar junction transistors (BJTs), the competing type of power transistor, MOSFETs do not require a continuous flow of drive current to remain in the ON state. Additionally, MOSFETs can offer higher switching speeds, lower switching power losses, lower on-resistances, and reduced susceptibility to thermal runaway. In switched-mode power supplies (SMPSs), MOSFETS are often used as the switching elements for regulation as well as for power factor correction (PFC).

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Resultados: 38
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 85A N-CH MOSFET
Hoja de datos
384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 160 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement TrenchFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V
Hoja de datos
725En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 58 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement PowerTrench Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 35A 55V N-Channel UltraFET
Hoja de datos
180En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 35 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement UltraFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
16,367En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 67 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
32,804En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 49 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
4,846En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
10,240En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 55 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN011-80YS/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
47En existencias
4,500Se espera el 17/5/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 47 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 45 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN018-80YS/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
544En existencias
1,500Se espera el 10/11/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 45 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 26 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 85 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS 5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
1,176En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 23 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
Hoja de datos
3,000Se espera el 21/4/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 42 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
7,500Se espera el 27/8/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel