SIZ240DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIZ240DT-T1-GE3
SIZ240DT-T1-GE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Cinta cortada / MouseReel™ †
$1.96 $1.96
$1.24 $12.40
$0.827 $82.70
$0.678 $339.00
$0.594 $594.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.546 $1,638.00
$0.502 $3,012.00
$0.471 $4,239.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3S-8
N-Channel
2 Channel
40 V
48 A, 47 A
8 mOhms, 8.4 mOhms
- 16 V, 20 V
2.4 V
15.2 nC, 14.2 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay / Siliconix
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 5 ns, 10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 39 S, 55 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 6 ns, 55 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 23 ns, 25 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns, 25 ns
Peso de la unidad: 143.050 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiZ240DT Dual N-Channel 40V (D-S) MOSFET

Vishay SiZ240DT Dual N-Channel 40V (D-S) MOSFET features TrenchFET® Gen IV power MOSFET technology, with integrated high- and low-side MOSFETs in one compact PowerPAIR® 3.3mm2 package. The SiZ240DT provides best-in-class on-resistance and on-resistance times gate charge, a key Figure of Merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications.

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs combine optimized combinations of MOSFETs in one compact package. The co-packaged Vishay PowerPAIR Dual-MOSFETs use less space and offer increased performance over separate discretes. By having the two MOSFETs already connected inside the PowerPAIR package, layouts are made easier and parasitic inductance from PCB traces are reduced, increasing efficiency. 

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