Combo-FETs

onsemi Combo-FETs are revolutionary devices that combine a low RDS(on) onsemi SiC JFET with a Si MOSFET in a single, compact package. Explicitly designed for low-frequency protection applications, such as solid-state circuit breakers, battery disconnects, and surge protection, these Combo-FETs allow users access to the JFET gate to optimize the design. Integrating the Si MOSFET in these onsemi Combo-FETs ensures a normally off solution, achieving a size reduction of over 25% compared to discrete implementations.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Configuración Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0 Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Dp - Disipación de potencia Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Serie Empaquetado
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S 1,793En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO247-4 577En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4 627En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4 345En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4 558En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube