STN6N60M2

STMicroelectronics
511-STN6N60M2
STN6N60M2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

Modelo ECAD:
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Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$1.00 $1.00
$0.622 $6.22
$0.406 $40.60
$0.313 $156.50
$0.283 $283.00
$0.258 $516.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
$0.241 $964.00
$0.199 $1,592.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
600 V
5.5 A
1.2 Ohms
- 25 V, 25 V
4 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
6 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 4000
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 110 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STN6N60M2 MDmesh M2 Power MOSFET

STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh M2 Power MOSFET is an N-channel power MOSFET with low on-resistance and optimized switching characteristics. It was developed using MDmesh M2 technology. The STMicroelectronics STN6N60M2 MOSFET offers an extremely low gate charge and excellent output capacitance (Coss) profile. It is Zener-protected and 100% avalanche-tested. The STN6N60M2 MOSFET is ideal for switching applications.