Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NVD5C Power MOSFETs

onsemi NVD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified and offer robust solutions for automotive applications. NVD5C Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, surface-mount DPAK package and are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C454NT4G
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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK

NVD5C446NT4G
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$1.37

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

101 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34.3 nC

- 55 C

+ 175 C

101 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL IN DPAK

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$2.08

$1.94

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

163 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

80.6 nC

- 55 C

+ 175 C

117 W

Enhancement

AEC-Q101

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NVD5C684NLT4G
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2,500Se espera el 4/8/2026

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$1.08

$0.86

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

38 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

9.6 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

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NVD5C688NLT4G
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$1.48

$1.01

$0.801

$0.777

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$0.764

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

17 A

22.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C478NLT4G
onsemi
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1,714En existencias

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NVD5C478NLT4G

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863-NVD5C478NLT4G

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1,714En existencias

Cinta cortada

$2.44

$1.58

$1.08

$0.86

$0.823

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$0.79

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

45 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C668NLT4G
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NVD5C668NLT4G

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$1.06

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$0.926

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

49 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18.7 nC

- 55 C

+ 175 C

44 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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