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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.
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25En existencias
1,000Se espera el 18/5/2026
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Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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25En existencias
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Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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200En existencias
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Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
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147En existencias
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Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
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39En existencias
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Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
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245En existencias
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Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
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23En existencias
3,000Se espera el 19/4/2027
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Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel