DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 1,306En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 16.3 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38.1 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.1 nC - 55 C + 175 C 2.38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 477En existencias
2,000Se espera el 17/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.1 nC - 55 C + 175 C 2.38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 1,796En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 60 V 33.2 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 2,458En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 60 V 33.2 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 2,920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 37.1 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 6,919En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A 2,775En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 50 A 12.1 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2,902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 46.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V 1,033En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 53.7 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 175 C 83.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V-40V 555En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 116.1 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 1,826En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A 620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 96.3 nC - 55 C + 175 C 2.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
42,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 8.9 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A
5,000Se espera el 27/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20.9 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K
10,000Se espera el 1/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.6 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14.2 nC - 55 C + 175 C 2.35 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
29,680En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 10.8 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
2,000Se espera el 13/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 5.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 9,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000
Si PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000
Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 12,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 3,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 15,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 3,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 18 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 48.7 nC - 55 C + 150 C 1.98 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 4,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 18 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 48.7 nC - 55 C + 150 C 1.98 W Enhancement Reel