DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 17,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K 84,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 190,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 206,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000
Si PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 10,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-B-6 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 30,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.4 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 25V-30V 275,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35.8 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 123 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 9,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 76 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 36 nC - 55 C + 150 C 1.98 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 2,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000
Si PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 76 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 36 nC - 55 C + 150 C 1.98 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF 6,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 80 V 9.5 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 3,800Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 114 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 175c N-Ch FET 20Vgss 3.8mOhm 20,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 2,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 22 A 3.8 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 43.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 15,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 10,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 40Vdss 20Vgss 2,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 5,850Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A 15,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A 7,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A 27,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 5,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 21,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9.4 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 2.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 342,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 10.8 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 60,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 96.3 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel