Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
Hoja de datos
110Se espera el 15/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 20 A SiC SBD
Hoja de datos
350En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700V, 50A SiC SBD
Hoja de datos
150Se espera el 3/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 14
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount SOT-227
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 700 V 10 A TO-268
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 270
Mult.: 30

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-268-3
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 15 A TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 150
Mult.: 50

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 20 A TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 100
Mult.: 50

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2