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SQM120N04-1m7L_GE3

Name: Vishay SQM120N04-1m7L_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SQM120N041M7LGE
Price: 4.39 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SQM120N041M7LGE

Fabricante N.º:

SQM120N04-1m7L_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 375W AEC-Q101 Qualified

Hoja de datos:

SQM120N04-1m7L_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$4.39	$4.39
	$2.91	$29.10
	$2.06	$206.00
	$1.61	$805.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$1.54	$1,232.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	285 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	212 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	SQM
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	74 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	4 g

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Hoja de datos

SQM120N04-1m7L_GE3 Hoja de datos

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SQM120N04-1m7L 40V Automotive MOSFET

Vishay / Siliconix SQM120N04-1m7L is a TrenchFET^® Power MOSFET designed for automotive applications. It is AEC-Q101 qualified and comes in a TO-263 package with low thermal resistance. Vishay / Siliconix SQM120N04-1m7L 40V Automotive MOSFET features 120A continuous drain current and an operating junction temperature range of -55°C to +175°C.