Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs are -40V P-channel power MOSFETs for automotive applications. These devices feature a gate drive voltage of -4.5V compared with -6V for the conventional products in the DPAK+ package. This feature allows systems to be used even when the battery voltage drops. The Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs feature low on-resistance.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ200F04M3L,LXHQ
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200 A

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375 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ8S06M3L,LXHQ
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1 Channel

60 V

8 A

104 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

19 nC

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Enhancement

AEC-Q101

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DPAK-3 (TO-252-3)

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10 A

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3 V

19 nC

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27 W

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40 V

80 A

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158 nC

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DPAK-3 (TO-252-3)

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40 V

40 A

9.1 mOhms

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3 V

83 nC

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68 W

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AEC-Q101

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TJ15S06M3L,LXHQ
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AEC-Q101

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TJ30S06M3L,LXHQ
Toshiba
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30 A

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SSM6J808R,LXHF
Toshiba
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TSOP6F

P-Channel

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7 A

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2 V

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AEC-Q101

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TJ20S04M3L,LXHQ
Toshiba
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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

20 A

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- 20 V, 10 V

3 V

37 nC

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41 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ60S06M3L,LXHQ

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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

60 A

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- 20 V, 10 V

3 V

156 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

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TJ90S04M3L,LXHQ
Toshiba
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

172 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723

SSM3J66MFV,L3XHF
Toshiba
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SSM3J66MFV,L3XHF

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757-SSM3J66MFVL3XHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723

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SMD/SMT

VESM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

480 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

1.6 nC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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TJ50S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: $1.89
833En existencias
2,000Se espera el 15/6/2026

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TJ50S06M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ50S06M3L,LXHQ

Toshiba

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$1.89

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$0.883

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$0.564

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

124 nC

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
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5,000Se espera el 13/2/2026

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XPH3R114MC,L1XHQ

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757-XPH3R114MC,L1XHQ

Toshiba

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SMD/SMT

SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

230 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

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XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba
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5,000Se espera el 15/5/2026

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XPN9R614MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN9R614MC,L1XHQ

Toshiba

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$0.342

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SMD/SMT

TSON-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.6 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
1: $1.95
14,688Se espera el 20/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPH4R714MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH4R714MC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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14,688Se espera el 20/2/2026

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$1.95

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$0.492

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

4.7 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohma.10V, DFN2020B(WF)Automotive

XSM6J372NW,LXHF
Toshiba
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6J372NW,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-XSM6J372NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohma.10V, DFN2020B(WF)Automotive

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SMD/SMT

DFN2020B-6

P-Channel

1 Channel

30 V

24 A

144 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

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