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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 4A Middle Power MOSFET
Hoja de datos
6,000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-1212-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 4 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 2A Middle Power MOSFET
Hoja de datos
2,630En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-1212-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 157 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel