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QPD1029L

Name: Qorvo QPD1029L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1029L
Price: 1674.94 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPD1029L

Fabricante N.º:

QPD1029L

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr

Hoja de datos:

QPD1029L Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Marca:	Qorvo
Frecuencia de trabajo máxima:	1.4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	1.2 GHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	1.5 kW
Empaquetado:	Waffle
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1029L
Cantidad de empaque de fábrica:	18
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT

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USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

QPD1029L GaN RF IMFET Transistor

Qorvo QPD1029L GaN RF Internally Matched FET (IMFET) Transistor is a 1500W (P_3dB) discrete GaN on SiC High Electron Mobility Transistor (HEMT). This RF IMFET operates between a 1.2GHz to 1.4GHz frequency range. The QPD1029L transistor provides ease of external board match and saves board space. This Qorvo transistor is a RoHS-compliant device. The QPD1029L IMFET transistor device is used in an industry-standard air cavity package and is ideally suited for radar.