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STGHU30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGHU30M65DF2AG
Price: 4.43 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGHU30M65DF2AG

Fabricante N.º:

STGHU30M65DF2AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 600)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$4.43	$4.43
	$2.94	$29.40
	$2.08	$208.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 600)
	$1.67	$1,002.00
	$1.56	$1,872.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	HU3PAK-7
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	87 A
Dp - Disipación de potencia :	441 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	57 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBTs
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	2.320 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGHU30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT is developed using an advanced trench gate field stop structure. The STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG offers an ideal balance of inverter performance and efficiency, with low power loss and short-circuit protection. The positive V_CE(sat) temperature coefficient and consistent parameter distribution enhance safe paralleling operation.